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CMLDM8002AG TR /CMLDM Series 50 V 2.5 ohm Dual P-Channel Surface Mount Silicon Mosfet - SOT-563
CMLDM8002AG TR的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

FET类型:2 个 P 沟道(双)

FET功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):50V

电流-连续漏极(Id)(25°C时):280mA

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):2.5 欧姆 @ 500mA,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):0.72nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):70pF @ 25V

功率-最大值:350mW

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-563

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商CMLDM8002AG TR
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CMLDM8002AG TR PBFREEMOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp的LOGO1.1 Mbytes共4页CMLDM8002AG TR PBFREE的PDF下载地址
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CMLDM8002AG TR的全球分销商及价格
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CMLDM8002AG TRCentral SemiconductorMOSFET Dual P-Ch Enh Mode 20Vgs 50Vds 350mW1:¥4.5313
10:¥3.8872
100:¥2.7007
1,000:¥2.0001
3,000:¥1.695